Цитата:
Сообщение от Малиновский Александр
Сергей, Вы правы. А математик опять вносит путаницу, обозначив тепловую ООС термином ПОС.
|
- Внимательно читаем мое сообщение : коэффициент усиления - формула правильная? - Ку=Rн/rэ , где Rн - сопротивление нагрузки, включенное в коллектор, rэ - внутреннее сопротивление эмиттера. Но rэ зависит от протекающего тока примерно как - это то же что и у Вас и Во всех учебниках - rэ=25/iэ, где iэ - ток эмиттера в ма.
Получается, при увеличении напряжения на базе ток эмиттера увеличивается, сопротивление эмиттера уменьшается, коэффициент усиления увеличивается. Вот такая своеобразная ПОС получается. Понятно, что такая ПОС больше характерна для включения транзистора, так как Rн нет у транзистора внутри. Тем не менее это ПОС, причем не очень хорошая - она зависит от уровня сигнала. Сейчас мы наблюдаем, как в спорах рождается истина - я думаю, идея Сергея о компенсации этой ПОС тепловой ООС или наоборот - имеет право на жизнь - попробую просимулировать и ознакомить СООБЩЕСТВО.
Очевидно, в малосигнальных каскадах, где тепловыми искажениями МОЖНО ПРЕНЕБРЕЧЬ - остается только указанная ПОС - если транзистор работает на Rн, а не на источник тока, к примеру.