Цитата:
Сообщение от kosxp
очень не слабо греются радиаторы VT13,14 (в обеих каналах), практически до них можно дотронуться не более чем на 2-3сек, да и радиаторы VT9,10 тоже далеко не холодные. Мне это кажется не совсем нормальным
|
Ток через VT9,VT10 должен быть прикидочно равен I = Uпит./(R32+R35)= 3-4мА. Соответственно рассеиваемая мощность на каждом транзисторе примерно W= I*Uке = 3мА*76В= 0,3-0,5Вт.
Ток через VT13,VT14 должен быть прикидочно равен I = U(на VD4)/R44 = (0,6...0,7В)/51Ом = 14-15мА. Соответственно рассеиваемая мощность на каждом транзисторе в покое примерно W= I*Uке = 15мА*79В= 1Вт.
Как они при этом нагреются, завистит от площади радиаторов и их режима "обмывания" воздухом (их коэффициента теплоодачи в среду). Транзисторы "нормально" работают и при 125-150град.C.(правда внутри транзистора, т.е. его кристалла).
В общем, если напряжения на R35 в районе 3..3,5В, а на R44 в районе 0,6-0,7 Вольт, то все так, как задумывалось автором Феникса. Если "не нравиться" их при этом нагрев, то можно заменить радиаторы, или каким-либо способом обеспечить им лучший теплообмен.
Если ток покоя VT13,VT14 от их нагрева растет существенно выше 15мА, можно один из диодов(VD3 или VD4) которые подключены к базе VT14, закрепить (или вплотную приблизить) на радиатор VT14, для эффективной работы термокомпенсации.